DDR SDRAM (Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) adalah salah satu jenis memori komputer yang mempunyai kecepatan yang sangat luar biasa dalam memproses sebuah data. Orang juga sering menyebutnya DDR RAM. DDR RAM ini mempunyai rancangan arsitektur yang sama dengan SDRAM, hanya saja menggunakan sinyal clock yang berbeda untuk mentransfer data lebih cepat dua kali dalam jumlah waktu yang sama. Dalam ilmu sistem komputer, sinyal clock adalah frekuensi osilasi yang digunakan untuk mengkoordinasikan interaksi antara sirkuit digital, simply put, sinkronisasi dan komunikasi. Dirancangnya rangkaian digital ini untuk beroperasi pada sinyal clock yang dapat merespon naik atau turunnya sinyal.
DDR RAM mentransfer data pada kedua sisi naik dan turun dari sinyal clodck. Karena itulah DDR RAM memiliki kecepatan dua kali lebih cepat dibandingkan dengan SDRAM. Untuk kecepatan RAM itu sendiri akan bekerja sama dengan bagian depan bus (FSB) dari sebuah sistem komputer. FSB adalagh data saluran dua arah yang mengirimkan informasi dari unit pengolahan pusat (CPU) keseluruh komponen yang ada dan menancap di motherboard, termasuk salah satunya RAM, chip BIOS, Hard Drive dan Slot PCI. Oleh karena itu, sistem komputer dengan FSB dari 133MHz menjalankan DDR SDRAM yang pada dasarnya akan melakukan seperti mesin 266MHz.
Memory DDR ini terdiri dari 184-pin modul memori dual in-line (DIMM) yang hanya berfungsi dengan baik dalam motherboard yang dirancang sesuai dengan syarat di atas. DDR RAM hadir dalam berbagai kecepatan. DDR RAM hanya akan berjalan maksimal jika motherboard men-support.
DDR RAM secara visual berbeda dari SDRAM dimana SDRAM adalah DIMM 168-pin dengan lekukan ganda di bagian bawah sepanjang pin – hanya satu tingkat off-center, dan yang lain offside. DDR SDRAM 184-pin memiliki takik off-center tunggal. DDR RAM biasanya dibuat untuk prosesor 1GHz atau yang lebih cepat. Sebutan seperti PC1600 DDR SDRAM dan DDR SDRAM PC2100 bertepatan dengan FSB tertentu dan kecepatan CPU yang disyaratkan pada CPU. AMD dan Intel menggunakan skema yang berbeda untuk menunjukkan kecepatan prosesor, dan berbagai teknis dan standar sebutan RAM dapat membingungkan.

Jenis-Jenis DDR SDRAM

• DDR

DDR (double data rate) RAM generasi 1 merupakan memori yang mulai menggunakan teknologi double clock cycle. Ini berbeda dengan SDR (single data rate) RAM yang hanya mampu melakukan single clock cycle. Sehingga DDR RAM mampu mentransfer data dua kali lebih cepat.
DDR RAM ini ada beberapa jenis seperti DDR-200 (memiliki memory clock 100 MHz), DDR-266 (memiliki memory clock 133 MHz), DDR-333 (memiliki memory clock 166 MHz) dan DDR-400 (memiliki memory clock 200 MHz). Frekuensi transfer yang bisa dihasilkan DDR1 hanya antara 200-400 MHz.
DDR RAM versi 1 ini dikembangkan sejak 1996 sampai 2000.

• DDR2

DDR2 RAM memiliki clock cycle dua kali lebih banyak. Artinya, kemampuanya dua kali lebih cepat dibandingkan DDR1. Memory clock-nya terentang dari 100 MHz sampai 266 MHz. Jenis DDR2 memiliki nama standar DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800 dan DDR2-1066. Dan frekuensi transfer antara 400-1966 MHz.

• DDR3

Sementara DDR3 RAM, dari segi memory clock-nya tak jauh beda dengan DDR2 yaitu dari 100 MHz sampai 266 MHz. Bedanya terletak frekuensi transfernya yang lebih tinggi yaitu mencapai 2133 MHz (DDR2 maksimal hanya sampai 1066 MHz) dan voltasenya yang lebih hemat yaitu hanya 1.5v (DDR2 memerlukan voltase 1.8v dan DDR 1 dengan 2.5/2.6v).

• DDR4

Dalam Komputer, DDR4 SDRAM, singkatan untuk tipe Double Date Rate Random Access Memory, adalah jenis dynamic random-access memory (DRAM) dengan Interface bandwidth tinggi diharapkan akan dirilis ke pasar pada tahun 2012 . ini adalah salah satu dari beberapa varian dari DRAM yang telah digunakan sejak awal 1970-an [4] dan tidak kompatibel dengan semua jenis sebelumnya random access memory (RAM) karena tegangan sinyal yang berbeda, antarmuka fisik dan faktor-faktor lainnya.
Memori DDR4 ini diklaim sebagai memory generasi Terbaru yang memiliki Tingkat kecepatan transfer rate 2133 – 4266 MT/ second dimana yang kita ketahui sekarang masih tekhnologi DDR3 dan itu dengan kecepatan 800MT/second.
Bagi Anda sekalian pengguna motherboard minimal dengan chipset intel G41 dan ram DDR3 pasti anda sudah merasakan kecepatannya ,itu dikisaran 800Mt/second .,lalu bagaimana dengan DDR 4 yang akan datang yang sejatinya bisa 4x lipat dari DDR3 ,ditambah lagi dengan VOLTAGE yang sangat rendah 1.05- 1.2 V untuk DDR4 dan 1.2 – 1.5 V untuk ddr3. 

http://www.gudangilmukomputer.com/pengertian-ddr-sdram-dan-jenis-jenisnya.html

DDR SDRAM

Double data rate sinkron dinamis random-access memory ( DDR SDRAM ) adalah kelas sirkuit terpadu memori yang digunakan di komputer . DDR SDRAM, juga disebut DDR1 SDRAM, telah digantikan oleh DDR2 SDRAM , DDR3 SDRAM dan DDR4 SDRAM . Tak satu pun penggantinya yang maju atau mundur kompatibel dengan DDR1 SDRAM, yang berarti modul memori DDR2, DDR3, dan DDR4 tidak akan bekerja pada motherboard berfitur DDR1, dan sebaliknya .

Dibandingkan dengan SDRAM data rate tunggal ( SDR ) SDRAM, antarmuka DDR SDRAM membuat kecepatan transfer lebih tinggi dimungkinkan dengan kontrol yang lebih ketat terhadap waktu sinyal data dan sinyal listrik. Implementasi sering kali harus menggunakan skema seperti loop fase terkunci dan kalibrasi sendiri untuk mencapai ketepatan waktu yang dibutuhkan. Antarmuka menggunakan pemompaan ganda (mentransfer data pada kedua sisi sinyal naik dan turun dari sinyal jam ) untuk menggandakan bandwidth bus data tanpa peningkatan frekuensi clock yang sesuai. Salah satu keuntungan dari menjaga frekuensi clock turun adalah mengurangi persyaratan integritas sinyal pada papan sirkuit yang menghubungkan memori ke controller. Nama "data rate ganda" mengacu pada fakta bahwa DDR SDRAM dengan frekuensi clock tertentu mencapai hampir dua kali bandwidth SDR SDR yang berjalan pada frekuensi clock yang sama, karena pemompaan ganda ini.

Dengan data yang ditransfer 64 bit sekaligus, DDR SDRAM memberikan kecepatan transfer (clock speed memory bus) × 2 (untuk dual rate) × 64 (jumlah bit yang ditransfer) / 8 (jumlah bit / byte). Dengan demikian, dengan frekuensi bus 100 MHz, DDR SDRAM memberikan kecepatan transfer maksimal 1600 MB / s .

"Mulai tahun 1996 dan ditutup pada bulan Juni 2000, JEDEC mengembangkan spesifikasi SDRAM DDR (Double Data Rate) (JESD79)."  JEDEC telah menetapkan standar untuk tingkat data DDR SDRAM, dibagi menjadi dua bagian. Spesifikasi pertama adalah untuk chip memori, dan yang kedua adalah untuk modul memori.

Spesifikasi standar

Chips dan modul 

Nama standar	Jam memori (MHz)	Waktu siklus  (Ns)	Jam bus I / O (MHz)	Data rate (MT / s)	V DDQ (V)	Nama modul	Tingkat transfer puncak (MB / s)	Waktu (CL-tRCD-tRP)
DDR-200	100	10	100	200	2,5 ± 0,2	PC-1600	1600
DDR-266	133.33	7.5	133.33	266.67		PC-2100	2133.33	2,5-3-3
DDR-333	166.67	6	166.67	333.33		PC-2700	2666.67
DDR-400A DDR-400B DDR-400C	200	5	200	400	2,6 ± 0,1	PC-3200	3200	2,5-3-3 3-3-3 3-4-4

Catatan: Semua yang tercantum di atas ditentukan oleh JEDEC sebagai JESD79F.  Semua tingkat data RAM di-antara atau di atas spesifikasi yang tercantum ini tidak distandarisasi oleh JEDEC-seringkali hanya pengoptimalan produsen yang menggunakan kerapatan toleran atau keriput terlalu ketat.

Ukuran paket di mana DDR SDRAM diproduksi juga distandarisasi oleh JEDEC.

Tidak ada perbedaan arsitektur antara DDR SDRAM yang dirancang untuk frekuensi clock yang berbeda, misalnya PC-1600, dirancang untuk berjalan pada 100 MHz, dan PC-2100, dirancang untuk berjalan pada 133 MHz. Angka tersebut hanya menunjukkan tingkat data di mana chip dijamin akan tampil, maka DDR SDRAM dijamin berjalan lebih rendah ( underclocking ) dan mungkin bisa berjalan dengan kecepatan clock yang lebih tinggi ( overclocking ) daripada yang dibuatnya . 

Modul DDR SDRAM untuk komputer desktop, biasa disebut DIMM , memiliki 184 pin (berlawanan dengan 168 pin pada SDRAM, atau 240 pin pada DDR2 SDRAM), dan dapat dibedakan dari DIMM SDRAM dengan jumlah takik (DDR SDRAM memiliki satu, SDRAM Memiliki dua). DDR SDRAM untuk komputer notebook, SO-DIMMs , memiliki 200 pin, yang merupakan jumlah pin yang sama dengan DDR2 SO-DIMMs. Kedua spesifikasi ini berlekuk sangat mirip dan perawatan harus dilakukan saat pemasangan jika tidak yakin akan kecocokan yang benar. Sebagian besar SDRAM DDR beroperasi pada voltase 2,5 V, dibandingkan dengan 3,3 V untuk SDRAM. Hal ini dapat mengurangi konsumsi daya secara signifikan. Chip dan modul dengan standar DDR-400 / PC-3200 memiliki tegangan nominal 2,6 V.

Standar JEDEC No. 21-C mendefinisikan tiga kemungkinan tegangan operasi untuk 184 pin DDR, seperti yang diidentifikasi oleh posisi takik utama relatif terhadap titik pusatnya. Halaman 4.5.10-7 mendefinisikan 2.5V (kiri), 1.8V (tengah), TBD (kanan), sedangkan halaman 4.20.5-40 mencalonkan 3.3V untuk posisi takik yang tepat. Orientasi modul untuk menentukan posisi takik kunci adalah dengan 52 posisi kontak ke kiri dan 40 posisi kontak ke kanan.

Peningkatan tegangan operasi sedikit dapat meningkatkan kecepatan maksimum, dengan biaya disipasi daya dan pemanasan yang lebih tinggi, dan berisiko mengalami kerusakan fungsi atau kerusakan.

Banyak chipset baru menggunakan jenis memori ini dalam konfigurasi multi-channel .

Karakteristik chip 

Kepadatan DRAM

Ukuran chip diukur dalam megabits . Kebanyakan motherboard mengenali modul 1 GB hanya jika mereka memiliki chip 64M × 8 (low density). Jika modul 128M × 4 (kepadatan tinggi) 1 GB digunakan, kemungkinan besar tidak akan bekerja. Standar JEDEC memungkinkan 128M × 4 hanya untuk modul buffer / registrasi yang lebih lambat yang dirancang khusus untuk beberapa server, namun beberapa produsen generik tidak mematuhi. 

Organisasi

Notasi seperti 64M × 4 berarti bahwa matriks memori memiliki 64 juta (produk dari bank x baris x kolom ) Lokasi penyimpanan 4-bit. Ada chip × 4, × 8, dan × 16 DDR. Chip × 4 memungkinkan penggunaan fitur koreksi kesalahan lanjutan seperti Chipkill , penggosokan memori dan Intel SDDC di lingkungan server, sedangkan chip x 8 dan × 16 agak lebih murah. Chip x8 terutama digunakan di desktop / notebook namun masuk ke pasar server. Biasanya ada 4 bank dan hanya satu baris yang bisa aktif di masing-masing bank.

Karakteristik modul 

Peringkat

Untuk meningkatkan kapasitas memori dan bandwidth, chip digabungkan pada modul. Misalnya, bus data 64-bit untuk DIMM membutuhkan delapan chip 8 bit, yang dibahas secara paralel. Beberapa chip dengan garis alamat umum disebut peringkat memori . Istilah itu diperkenalkan untuk menghindari kebingungan dengan deretan internal chip dan bank . Modul memori mungkin memiliki lebih dari satu peringkat. Istilah sisi juga akan membingungkan karena salah menunjukkan penempatan fisik chip pada modul.

Semua jajaran terhubung ke bus memori yang sama (alamat + data). Sinyal Chip Select digunakan untuk mengeluarkan perintah ke pangkat tertentu.

Menambahkan modul ke bus memori tunggal menciptakan beban listrik tambahan pada drivernya. Untuk mengurangi tingkat signaling bus yang dihasilkan dan mengatasi hambatan memori , chipset baru menggunakan arsitektur multi-channel .

Kapasitas

Jumlah Perangkat DRAM

Jumlah chip adalah kelipatan 8 untuk modul non- ECC dan kelipatan 9 untuk modul ECC. Chips dapat menempati satu sisi ( satu sisi ) atau kedua sisi ( dua sisi ) dari modul. Jumlah maksimum chip per modul DDR adalah 36 (9 × 4) untuk ECC dan 32 (8x4) untuk non-ECC.

ECC vs non-ECC

Modul yang memiliki kode koreksi kesalahan diberi label sebagai ECC . Modul tanpa kode koreksi kesalahan diberi label non-ECC .

Waktu

CAS latency (CL), waktu siklus clock (t _CK ), waktu siklus baris (t _RC ), waktu siklus refresh row (t _RFC ), waktu aktif baris (t _RAS ).

Penyangga

Terdaftar (atau buffer) vs unbuffered

Pengemasan

Biasanya DIMM atau SO-DIMM

Konsumsi daya

Sebuah tes dengan RAM DDR dan DDR2 pada tahun 2005 menemukan bahwa konsumsi daya rata-rata tampak dari urutan 1-3W per modul 512MB; Hal ini meningkat dengan clock rate, dan bila digunakan daripada pemalasan.  Produsen telah menghasilkan kalkulator untuk memperkirakan kekuatan yang digunakan oleh berbagai jenis RAM. 

Karakteristik modul dan chip secara inheren terkait.

Total kapasitas modul adalah produk dengan kapasitas satu chip dengan jumlah chip. Modul ECC memperbanyaknya dengan 8/9 karena mereka menggunakan satu bit per byte untuk koreksi kesalahan. Suatu modul dengan ukuran tertentu dapat dikumpulkan dari 32 chip kecil (36 untuk memori ECC), atau 16 (18) atau 8 (9) yang lebih besar.

Lebar bus memori DDR per kanal adalah 64 bit (72 untuk memori ECC). Total lebar modul bit adalah produk bit per chip dengan jumlah chip. Ini juga sama dengan jumlah barisan (baris) dikalikan dengan lebar bus memori DDR. Akibatnya, modul dengan jumlah chip lebih banyak atau menggunakan chip x 8, bukan × 4 akan memiliki peringkat lebih banyak.

Contoh: Variasi modul DDR SDRAM 1 GB PC2100 dengan ECC

Ukuran modul (GB)	Jumlah keripik	Ukuran chip (Mbit)	Organisasi chip	Jumlah barisan
1	36	256	64M × 4	2
1	18	512	64M × 8	2
1	18	512	128M × 4	1

Contoh ini membandingkan modul memori server dunia nyata dengan ukuran umum 1 GB. Seseorang pasti harus berhati-hati membeli modul memori 1 GB, karena semua variasi ini dapat dijual dengan satu posisi harga tanpa menyebutkan apakah mereka × 4 atau × 8, satu atau dua peringkat.

Ada kepercayaan umum bahwa jumlah jajaran modul sama dengan jumlah sisi. Seperti ditunjukkan data di atas, ini tidak benar. Seseorang juga dapat menemukan modul 2 sisi / 1-rangking. Seseorang bahkan dapat memikirkan modul memori 1 sisi / 2-peringkat yang memiliki 16 (18) chip pada satu sisi masing-masing, masing-masing, namun modul tersebut tidak mungkin diproduksi.

Sejarah 

Spesifikasi SDRAM data rate (DDR) [ SDRAM ]

Dari JEDEC Board Ballot JCB-99-70, dan dimodifikasi oleh banyak Board Ballots lainnya, yang diformulasikan di bawah pengamatan Komite JC-42.3 mengenai DRAM Parametrics.

Standar No. 79 Catatan Revisi:

• Rilis 1, Juni 2000
• Rilis 2, Mei 2002
• Rilis C, Maret 2003 - Standar JEDEC No. 79C. 

"Standar komprehensif ini mendefinisikan semua aspek 64Mb yang dibutuhkan melalui SDRAM DDR 1Gb dengan antarmuka data X4 / X8 / X16, termasuk fitur, fungsionalitas, parametrik ac dan dc, paket dan tugas pin. Ruang lingkup ini kemudian diperluas untuk diterapkan secara formal ke perangkat x32 , Dan perangkat kepadatan yang lebih tinggi juga. "

Organisasi 

PC3200 adalah DDR SDRAM yang dirancang untuk beroperasi pada 200 MHz menggunakan chip DDR-400 dengan bandwidth 3.200 MB / s. Karena memori PC3200 mentransfer data pada kedua sisi jam naik dan turun, clock rate yang efektif adalah 400 MHz.

Modul PC3200 non-ECC 1 GB biasanya dibuat dengan chip enam belas 512 Mbit, delapan di setiap sisi (512 Mbits × 16 chip) / (8 bit (per byte)) = 1,024 MB. Chip individu yang membentuk modul memori 1 GB biasanya diatur sebagai 2 ^{26 kata} delapan bit, umumnya dinyatakan sebagai 64M × 8. Memori yang diproduksi dengan cara ini adalah RAM dengan kerapatan rendah dan biasanya kompatibel dengan motherboard yang menentukan memori PC3200 DDR-400.

RAM kepadatan tinggi 

Dalam konteks modul SDRAM PC3200 1 GB non-ECC, ada sangat sedikit visual untuk membedakan kepadatan rendah dari RAM dengan kepadatan tinggi. Modul DDR RAM kepadatan tinggi akan, seperti rekan dengan kepadatan rendah, biasanya dua sisi dengan delapan chip 512 Mbit per sisi. Perbedaannya adalah bahwa setiap chip, bukannya diorganisir sebagai 64M × 8, diatur sebagai 2 ^{27 kata} empat bit, atau 128M × 4.

Modul memori dengan kepadatan tinggi dirakit menggunakan chip dari beberapa produsen. Keripik ini hadir dalam dua paket ukuran FBGA 12 × 9 mm (approx.) Yang lebih tua dari ukuran 22 × 10 mm (approx.). Chip kerapatan tinggi dapat diidentifikasi dengan angka pada setiap chip.

Perangkat RAM kepadatan tinggi dirancang untuk digunakan dalam modul memori terdaftar untuk server. Standar JEDEC tidak berlaku untuk RAM DDR berdensitas tinggi dalam implementasi desktop. diperlukan dokumentasi teknis JEDEC, bagaimanapun, mendukung 128M × 4 semikonduktor seperti yang bertentangan dengan 128 × 4 yang diklasifikasikan sebagai kepadatan tinggi. Dengan demikian, kepadatan tinggi adalah istilah relatif, yang dapat digunakan untuk menggambarkan memori yang tidak didukung oleh pengontrol memori motherboard tertentu.

Variasi 

DDR SDRAM Standar	Melepaskan tahun	Jam bus (MHz)	Tingkat internal (MHz)	Prefetch (Min meledak)	Tingkat Transfer (MT / s)	Tegangan	DIMM Pin	SO-DIMM Pin	MicroDIMM Pin
DDR1	2000	100-200	100-200	2n	200-400	2.5 / 2.6	184	200	172
DDR2	2003	200-533.33	100-266.67	4n	400-1066.67	1.8	240	200	214
DDR3	2007	400-1066.67	100-266.67	8n	800-2133.33	1.5 / 1.35	240	204	214
DDR4	2014	1066.67-2133.33	133.33-266.67	8n	2133.33-4266.67	1.05 / 1.2	288	256	-

DDR (DDR1) digantikan oleh DDR2 SDRAM , yang memiliki modifikasi frekuensi clock yang lebih tinggi dan sekali lagi menghasilkan dua kali lipat, namun beroperasi dengan prinsip yang sama dengan DDR. Bersaing dengan DDR2 adalah Rambus XDR DRAM . DDR2 didominasi karena faktor biaya dan dukungan. DDR2 pada gilirannya digantikan oleh DDR3 SDRAM yang menawarkan kinerja yang lebih tinggi untuk meningkatkan kecepatan bus dan fitur baru. DDR3 telah digantikan oleh DDR4 SDRAM , yang pertama kali diproduksi pada tahun 2011 dan yang standarnya masih berubah (2012) dengan perubahan arsitektural yang signifikan.

DDR's prefetch buffer depth adalah 2 (bits), sedangkan DDR2 menggunakan 4. Meskipun clock rate efektif DDR2 lebih tinggi dari DDR, keseluruhan kinerjanya tidak lebih besar pada implementasi awal, terutama karena latency tinggi dari modul DDR2 pertama. DDR2 mulai efektif pada akhir tahun 2004, karena modul dengan latency rendah tersedia. 

Produsen memori menyatakan bahwa tidak praktis memproduksi memori DDR1 secara massal dengan kecepatan transfer efektif melebihi 400 MHz (yaitu 400 MT / s dan 200 MHz external clock) karena keterbatasan kecepatan internal. DDR2 mengambil tempat DDR1 berhenti, memanfaatkan clock rate internal yang serupa dengan DDR1, namun tersedia dengan kecepatan transfer 400 MHz dan yang lebih tinggi. Kemajuan DDR3 memperluas kemampuan untuk mempertahankan tingkat clock internal sambil memberikan tingkat transfer efektif yang lebih tinggi dengan menggandakan kedalaman prefetch lagi.

RDRAM adalah alternatif yang sangat mahal untuk DDR SDRAM, dan kebanyakan produsen menolak dukungannya dari chipset mereka. Harga memori DDR1 meningkat secara substansial sejak Q2 2008 sementara harga DDR2 turun. Pada bulan Januari 2009, 1 GB DDR1 2-3 kali lebih mahal dari 1 GB DDR2. DDR RAM kepadatan tinggi akan sesuai dengan sekitar 10% motherboard PC yang ada di pasaran sementara kepadatan rendah akan sesuai dengan hampir semua motherboard di pasar PC Desktop.

MDDR 

MDDR adalah akronim yang digunakan beberapa perusahaan untuk Mobile DDR SDRAM, jenis memori yang digunakan pada beberapa perangkat elektronik portabel, seperti telepon genggam , handheld , dan pemutar audio digital . Melalui teknik termasuk suplai voltase yang berkurang dan opsi penyegaran maju, Mobile DDR dapat mencapai efisiensi daya yang lebih tinggi.

https://en.wikipedia.org/wiki/DDR_SDRAM

https://translate.google.co.id/translate?hl=id&sl=en&u=https://en.wikipedia.org/wiki/DDR_SDRAM&prev=search

DDR SDRAM

DDR SDRAM kependekan dari Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory. Secara fisik DDR SDRAM adalah IC memori yang sering digunakan dalam komputer. Sesuai dengan namanya (DDR, Double Data Rate), memori ini memiliki bandwidth dua kali lipat memori SDRAM. Dalam satu siklus detak (clock cycle) mampu menstranmisi dua data (double pumped, dual pumped, double transition), yaitu pada saat kurva clock signal sedang tinggi dan saat kurva clock signal sedang turun. Modul DDR SDRAM pertama kali diperkenalkan dan digunakan untuk PC pada tahun 2000.

DDR SDRAM merupakan jenis DRAM 64 bit. Dengan demikian laju transfer data maksimum DDR SDRAM adalah 16 kali frekuensi bus memorinya (2 x 8 x frekuensi bus memori). Misalkan frekuensi bus memorinya adalah 100 MHz, maka laju transfer data maksimum adalah 1600 MB/s (1600 MB per detik), yang diperoleh dari perhitungan:

2 x 8 x 100 = 1600 MB/s

Angka 2, menyatakan nilai DDR (double pump), transmisi data terjadi dua kali per siklus detak.
Angka 8, menyatakan lebar bus memori dalam satuan byte (64 bit = 8 byte).
Angka 100, menyatakan frekuensi (clock speed) bus memori (100 MHz).

Perlu diketahui bahwa DDR SDRAM menggunakan teknologi DDR (Double Data Rate) hanya untuk jalur pengiriman data, sedangkan Address dan Control signals masih menggunakan teknologi SDR (Single Data Rate).
Berikut ini disajikan laju transfer data maksimum (bandwidth maksimum) beberapa DDR SDRAM standar.

Antara DDR SDRAM satu dengan lainnya pada prinsipnya tidak terdapat perbedaan arsitektural, perbedaan hanya terjadi pada kecepatan/frekuensi bus-nya saja. Misalnya, PC- 2100 didesain berjalan pada frekuensi bus (clock) 133 MHz, sedangkan PC-3200 didesain berjalan pada frekuensi bus (clock) 200 MHz. Semakin tinggi frekuensi bus memorinya, semakin cepat transmisi data yang kerjakan oleh DDR SDRAM.
DDR SDRAM biasanya dapat diatur agar bekerja lebih cepat dari frekuensi bus standar-nya atau bekerja lebih lambat dari frekuensi bus standar-nya. Pada prakteknya, pengaturan DDR SDRAM agar bekerja dengan kecepatan melebihi frekuensi bus standarnya, disebut dengan istilah overclocking. Sedangkan bila diatur agar bekerja dengan kecepatan lebih lambat dari frekuensi bus standarnya, disebut underclocking. Pengertian overclocking dan underclocking pada DDR SDRAM ini analogis dengan pengertian overclocking dan underclocking pada prosesor. Pada dasarnya, overclocking adalah upaya peningkatan frekuensi clock, sedangkan underclocking adalah penurunan frekuensi clock.
DDR SDRAM yang digunakan untuk komputer PC Desktop umumnya bertipe DIMM yang memiliki 184 pin. Jumlah pin ini lebih banyak dibandingkan SDRAM yang juga bertipe DIMM yang hanya memiliki 168 pin. Namun, jumlah pin tersebut lebih rendah dibandingkan DDR2 SDRAM yang memiliki 240 pin. Dengan demikian, secara fisik, DDR SDRAM mudah dibedakan dari SDRAM maupun dari DDR2 SDRAM.
DDR SDRAM yang digunakan untuk PC Desktop berbeda dengan DDR SDRAM yang digunakan untuk komputer laptop/notebook. DDR SDRAM untuk komputer laptop disebut DDR SO-DIMM yang memiliki 200 pin. DDR2 SO-DIMM juga memiliki 200 pin. DDR SDRAM didesain beroperasi pada tegangan 2,5 Volt (bandingkan dengan SDRAM yang didesain beroperasi pada tegangan 3,3 Volt). Khusus untuk chip atau modul standar DDR-400 (PC-3200) didesain bekerja pada tegangan 2,6 Volt. Jelas bahwa DDR SDRAM lebih hemat energi dibandingkan SDRAM. Oleh karena itu, DDR SDRAM cocok digunakan untuk komputer laptop karena dapat lebih menghemat energi battery dibandingkan SDRAM.
Kompatibilitas DRAM dipasangkan pada motherboard sangat bergantung pada prosesor dan chipset yang terdapat pada motherboard tersebut. Dalam hal ini, chipset berperanan sangat penting, karena chipsetlah yang menentukan/mengatur jenis atau tipe memori apa yang sesuai atau dapat dipasangkan pada motherboard tersebut, bahkan juga mengatur/menentukan kapasitas dan jumlah modul memori yang dapat dipasangkan. Sekarang ini tidak sedikit chipset-chipset baru yang menggunakan tipe memory (DDR SDRAM) berkonfigurasi dual channel yang memiliki bandwidth dua atau empat kali lipat memori single channel.

* Karakteristik Chip DDR SDRAM *

* Karakteristik Module DDR SDRAM *
o Chip dalam satu modul biasanya berjumlah 8 atau kelipatan dari angka 8 untuk modul non ECC, sedangkan jumlah chip untuk modul ECC biasanya 9 atau kelipatan 9. DRAM ECC, menggunakan satu bit dari setiap bytenya untuk error correction. Chip-chip tersebut umumnya berjajar menempati satu sisi/satu permukaan modul (single sided), atau berjajar menempati kedua sisi/kedua permukaan modul (dual sided). Jumlah chip maksimum dalam satu modul adalah 36 buah chip (9×4). Ukuran fisik chip pada modul DDR SDRAM yang memiliki 36 chip, biasanya lebih kecil dibandingkan modul DDR SDRAM yang memiliki 9 atau 18 chip. Deretan chip yang terdapat pada keping memori biasanya disebut dengan istilah chipset module.

o Pada satu sisi (satu permukaan) sebuah modul DRAM dapat dipasangkan satu atau dua dereten chip DRAM, sehingga pada dua sisi (dua permukaan) sebuah modul DRAM dapat dipasangkan total dua atau empat dereten chip DRAM. Bila sebuah modul memiliki total lebih dari satu deretan chip DRAM, maka memory controller secara periodik/bergantian perlu menutup atau membuka operasi deretan chip tadi, karena hanya satu deretan chip DRAM yang bisa diaktifkan ketika komputer sedang aktif bekerja.
o Seperti halnya SDRAM, tipe kemasan DDR SDRAM ada yang DIMM (untuk PC desktop), ada pula yang SO DIMM (untuk laptop/notebook).
o Daya yang dibutuhkan untuk operasional DDR SDRAM akan meningkat seiring dengan meningkatnya kecepatan (clock speed) DDR SDRAM.
o Seperti SDRAM, kecepatan DDR SDRAM juga dipengaruhi oleh memori latency (DDR SDRAM latency) yang terdiri dari tCAS (CAS latency), tRCD, tRP, dan tRAS.

Patut dicatat bahwa karakteristik chip dan modul DDR SDRAM merupakan dua hal yang tidak dapat dipisahkan. Keduanya saling berkaitan. Karena daya tampung data pada setiap chip adalah sama (seragam), maka kapasitas atau daya tampung data modul memori ditentukan oleh besar kapasitas per chip dikalikan jumlah chip yang terpasang pada modul.

* Kepadatan memori (memory density) *
DDR SDRAM PC3200 dirancang bekerja dengan kecepatan (clock rate) 200 MHz. Chip yang digunakan adalah chip DDR-400. Oleh karena jenis DRAM ini menggunakan teknologi DDR, maka dapat dikatakan bahwa kecepatan efektifnya (effective clock rate) sebesar 400 MHz. Dengan demikian DDR SDRAM PC3200 memiliki bandwidth 3200 MB/s.
Modul DDR SDRAM PC3200 non-ECC (184 pin) berkapasitas 1GB yang banyak beredar di pasaran Indonesia, umumnya mempunyai 16 chip yang terpasang berjajar pada kedua sisi (side) modul, masing-masing sisi berisi 8 chip. Daya tampung data setiap chip-nya 512 Mbit. Secara individual, chip ini tersusun dari 64 M (64 juta) unit penyimpanan, lebar data 8 bit (x8). RAM yang diproduksi dengan rancangan seperti ini disebut Low Density DDR SDRAM (RAM berkepadatan rendah).
Modul DDR SDRAM PC3200 non-ECC berkapasitas 1 GB yang memiliki spesifikasi sama seperti di atas, namun secara individual, setiap chip-nya tersusun dari 128 M (128 juta) unit penyimpanan, lebar data 4 bit (x4), disebut High Density DDR SDRAM (RAM berkepadatan tinggi). Secara visual, sedikit sekali perbedaan antara Low Density DDR SDRAM dengan High Density DDR SDRAM.
Perusahaan Samsung diketahui memproduksi chip untuk modul DDR SDRAM PC3200 berkepadatan tinggi (High Density DDR SDRAM). Terdapat dua versi ukuran fisik chip yang diproduksi oleh Samsung, yaitu chip yang berukuran 22 x 10 mm, dan chip yang berukuran 12 x 9 mm. Chip berkepadatan tinggi produk Samsung ini dapat dikenali dengan mudah melalui kode angka yang tertera (tertulis) pada permukaan chip. Jika karakter keenam dan ketujuh dari deretan kode tersebut adalah ‘04’ (misalnya K4H510438D-UCCC), maka lebar datanya 4 bit (x4), hal ini menunjukkan chip tersebut adalah chip berkepadatan tinggi (High Density). Jika karakter tersebut adalah ‘08’, maka lebar datanya 8 bit (x8), hal ini menunjukkan chip tersebut adalah chip berkepadatan rendah (Low Density).

* MDDR *
MDDR kependekan dari Mobile DDR SDRAM. Type memori ini banyak digunakan pada peralatan elektronik ‘portable’ (mudah dibawa kemana-mana), misalnya telepon ‘mobile’ dan digital audio players. MDDR bekerja pada tegangan 1,8 Volt, merupakan tegangan yang tergolong rendah, hemat energi, kebutuhan daya rendah (dibandingkan dengan DDR SDRAM standar yang bekerja pada tegangan 2,5 Volt).

https://gpinkom.wordpress.com/ddr-sdram/

Apa perbedaan antara SDRAM, DDR1, DDR2, DDR3 dan DDR4?

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory): "Synchronous" bercerita tentang perilaku tipe DRAM. Pada akhir 1996, SDRAM mulai muncul dalam sistem. Tidak seperti teknologi sebelumnya, SDRAM dirancang untuk menyinkronkan dirinya dengan timing CPU. Hal ini memungkinkan pengendali memori untuk mengetahui siklus clock yang tepat saat data yang diminta akan siap, sehingga CPU tidak lagi harus menunggu di antara akses memori. Sebagai contoh, PC66 SDRAM berjalan pada 66 MT / s, PC100 SDRAM berjalan pada 100 MT / s, PC133 SDRAM berjalan pada 133 MT / s, dan seterusnya. 
SDRAM dapat berdiri untuk SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), di mana I / O, jam internal dan jam bus sama. Sebagai contoh, I / O, jam internal dan jam bus PC133 semuanya adalah 133 Mhz. Single Data Rate berarti SDR SDRAM hanya bisa membaca / menulis satu kali dalam satu siklus clock. SDRAM harus menunggu penyelesaian perintah sebelumnya agar bisa melakukan operasi baca / tulis yang lain.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM): Generasi berikutnya dari SDRAM adalah DDR, yang mencapai bandwidth lebih besar daripada data rate SDRAM sebelumnya dengan mentransfer data pada sisi sinyal naik dan turun dari sinyal clock (double dipompa). Secara efektif, ini menggandakan kecepatan transfer tanpa meningkatkan frekuensi jam. Kecepatan transfer DDR SDRAM adalah SDR SDRAM ganda tanpa mengubah jam internal. DDR SDRAM, sebagai memori DDR generasi pertama, buffer prefetch adalah 2bit, yang merupakan dua kali lipat dari SDR SDRAM. Kecepatan transfer DDR adalah antara 266 ~ 400 MT / s. DDR266 dan DDR400 termasuk tipe ini.

DDR2 SDRAM (Double Data Rate Dua SDRAM): Manfaat utamanya adalah kemampuan mengoperasikan bus data eksternal dua kali lebih cepat dari DDR SDRAM. Hal ini dicapai dengan memperbaiki sinyal bus. Penyangga prefetch DDR2 adalah 4 bit (double DDR SDRAM). Memori DDR2 berada pada kecepatan clock internal yang sama (133 ~ 200MHz) seperti DDR, namun kecepatan transfer DDR2 bisa mencapai 533 ~ 800 MT / s dengan sinyal bus I / O yang disempurnakan. DDR2 533 dan DDR2 800 jenis memori ada di pasaran.

DDR3 SDRAM (Double Data Rate Tiga SDRAM): Memori DDR3 mengurangi konsumsi daya 40% dibandingkan modul DDR2 saat ini, sehingga memungkinkan arus dan voltase operasi yang lebih rendah (1,5 V, dibandingkan dengan DDR2 1.8 V atau DDR 2.5 V). Kecepatan transfer DDR3 adalah 800 ~ 1600 MT / s. Lebar buffer prefetch DDR3 adalah 8 bit, sedangkan DDR2 adalah 4 bit, dan DDR's adalah 2 bit. DDR3 juga menambahkan dua fungsi, seperti ASR (Automatic Self-Refresh) dan SRT (Self-Refresh Temperature). Mereka bisa membuat memori mengontrol refresh rate sesuai variasi suhu.

DDR4 SDRAM (Double Data Rate Keempat SDRAM): DDR4 SDRAM memberikan voltase operasi yang lebih rendah (1.2V) dan kecepatan transfer yang lebih tinggi. Kecepatan transfer DDR4 adalah 2133 ~ 3200 MT / s. DDR4 menambahkan empat teknologi Grup Bank baru. Setiap kelompok bank memiliki fitur operasi sendirian. DDR4 dapat memproses 4 data dalam siklus clock, jadi efisiensi DDR4 lebih baik daripada DDR3. DDR4 juga menambahkan beberapa fungsi, seperti DBI (Data Bus Inversion), CRC (Cyclic Redundancy Check) dan paritas CA. Mereka dapat meningkatkan integritas sinyal memori DDR4, dan meningkatkan stabilitas transmisi data / akses.

https://www.transcend-info.com/Support/FAQ-296